MOSFET STMicroelectronics, N-Canal STWA68N65DM6, VDSS 650 V, ID 48 A, TO-247, Mejora de 3 pines
- Código RS:
- 212-2109P
- Referência do fabricante:
- STWA68N65DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 212-2109P
- Referência do fabricante:
- STWA68N65DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) | 650 V | |
| Corriente continua máxima de drenaje (ld) | 48 A | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) | 0.059 Ω | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Serie | STWA68N65DM6 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente (Vds) 650 V | ||
Corriente continua máxima de drenaje (ld) 48 A | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Modo de canal Mejora | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente (Rds) 0.059 Ω | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Serie STWA68N65DM6 | ||
MDMesh M6 MOSFET N-CH
The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fast recovery diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviours available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converter.
Fast-recovery body diode
Lower RDS(on) per area vs previous generation
Low gate charge, input capacitance and resistance
100% avalanche tested
Extremely high dv/dt ruggedness