MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STWA68N65DM6, VDSS 650 V, ID 48 A, TO-247, Mejora de 3 pines

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Código RS:
212-2109P
Referência do fabricante:
STWA68N65DM6
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

48A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.059Ω

Modo de canal

Mejora

MOSFET N-CH MDMesh M6


El MOSFET de potencia de canal N de alta tensión de STMicroelectronics forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, el DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), un tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más efectivos disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y el convertidor de desplazamiento de fase ZVS.

Diodo de cuerpo de recuperación rápida

RDS(on) inferior por área en comparación con la generación anterior

Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia

100 % a prueba de avalancha

Robustez dv/dt muy alta