MOSFET, N-Canal Vishay SQJ140EP-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 266 A, Mejora, SO-8 de 4 pines

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Código RS:
210-5031
Referência do fabricante:
SQJ140EP-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

266A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

SQJ140EP

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

88W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

49.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.25mm

Altura

1.12mm

Anchura

5.26mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C tiene un encapsulado POWERPAK SO-8L con una corriente de drenaje de

MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV

Certificación AEC-Q101

100 % RG y prueba UIS

La relación Qgd/QGS < 1 optimiza las características de conmutación

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