MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 33 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 206-8631P
- Referência do fabricante:
- STO67N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 206-8631P
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- STO67N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | STO67N60DM6 | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 59mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 150W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 72.5nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 9.8 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 2.2mm | |
| Longitud | 11.48mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie STO67N60DM6 | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 59mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 150W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 72.5nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 9.8 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 2.2mm | ||
Longitud 11.48mm | ||
Estándar de automoción No | ||
STMicroelectronics de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y convertidores de cambio de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
Menor RDS(on) por área frente a la generación anterior
Carga de puerta baja, capacitancia de entrada y resistencia
100 % a prueba de avalancha
Resistencia dv/dt extremadamente alta
Protección Zener
Excelente rendimiento de conmutación gracias al contacto fuente de accionamiento adicional