MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 800 V, ID 13 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
205-2503
Referência do fabricante:
NTP360N80S3Z
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET y Diodo

Corriente continua máxima de drenaje ld

13A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

800V

Encapsulado

TO-220

Serie

SUPERFET III

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

360mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

25.3nC

Disipación de potencia máxima Pd

96W

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

30.7mm

Anchura

9.65 mm

Altura

4.7mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET 800V de canal N de la serie SUPERFET III de on Semiconductor está optimizado para el interruptor principal del convertidor de retorno, permite menores pérdidas de conmutación y temperatura de carcasa sin sacrificar el rendimiento EMI gracias a su diseño optimizado. Además, el diodo zener interno mejora significativamente la capacidad ESD. Esta nueva familia permite crear aplicaciones más eficientes, compactas, más frías y más robustas gracias a su extraordinario rendimiento en aplicaciones de alimentación de conmutación como adaptadores para portátiles, audio, iluminación, alimentación ATX y fuentes de alimentación industriales.

La corriente nominal de drenaje continuo es 13A

El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es 360mohm

Carga de puerta ultrabaja

Baja energía almacenada en capacitancia de salida

100 % a prueba de avalancha

El tipo de paquete ES TO-220

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