Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT30N120H, VDSS 1200 V, ID 45 A, Hip-247, Mejora de 3 pines

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Código RS:
204-3952P
Referência do fabricante:
SCT30N120H
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

Módulo de potencia SiC

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

45A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

1200V

Encapsulado

Hip-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.09Ω

Modo de canal

Mejora

COO (País de Origem):
CN
El MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se produce aprovechando las propiedades avanzadas e innovadoras de los materiales de amplia separación de banda. Esto da como resultado una resistencia de encendido sin precedentes por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación casi independiente de la temperatura. Las excepcionales propiedades térmicas del material SiC, combinadas con la carcasa del dispositivo en el encapsulado HiP247 patentado, permiten a los diseñadores utilizar un perfil estándar del sector con una capacidad térmica significativamente mejorada. Estas características hacen que el dispositivo sea perfectamente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.

Variación muy estrecha de la resistencia de encendido frente a la temperatura

Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta (TJ = 200 °C)

Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto

Baja capacitancia