Módulo de potencia SiC STMicroelectronics, Tipo N-Canal SCT10N120H, VDSS 1200 V, ID 12 A, Hip-247, Mejora de 3 pines
- Código RS:
- 204-3950P
- Referência do fabricante:
- SCT10N120H
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 50 - 98 | 10,60 € |
| 100 - 248 | 8,84 € |
| 250 - 498 | 8,60 € |
| 500 + | 8,005 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 204-3950P
- Referência do fabricante:
- SCT10N120H
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | Módulo de potencia SiC | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.52Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto Módulo de potencia SiC | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.52Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de carburo de silicio de STMicroelectronics se produce aprovechando las propiedades avanzadas e innovadoras de los materiales de amplia separación de banda. Esto da como resultado una resistencia de encendido sin precedentes por área de unidad y un muy buen rendimiento de conmutación casi independiente de la temperatura. Las excepcionales propiedades térmicas del material SiC, combinadas con la carcasa del dispositivo en el encapsulado HiP247 patentado, permiten a los diseñadores utilizar un perfil estándar del sector con una capacidad térmica significativamente mejorada. Estas características hacen que el dispositivo sea perfectamente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia y alta densidad de potencia.
Variación muy estrecha de la resistencia de encendido frente a la temperatura
Capacidad de temperatura de conexión de funcionamiento muy alta (TJ = 200 °C)
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia