MOSFET STMicroelectronics, Tipo N-Canal STB33N60DM6, VDSS 600 V, ID 25 A, TO-263, Reducción de 3 pines
- Código RS:
- 202-5496
- Referência do fabricante:
- STB33N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 202-5496
- Referência do fabricante:
- STB33N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | ST | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.115Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 190W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 35nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Altura | 15.85mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie ST | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.115Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Disipación de potencia máxima Pd 190W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 35nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.4mm | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Altura 15.85mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de canal N de alta tensión forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida MDmesh™ DM6. En comparación con la generación rápida MDmesh anterior, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con uno de los comportamientos de conmutación más eficaces disponibles en el mercado.
Resistencia dv/dt extremadamente alta
Protección Zener
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