MOSFET STMicroelectronics, N-Canal, VDSS 1200 V, ID 100 A, H2PAK, Reducción de 7 pines
- Código RS:
- 202-5486P
- Referência do fabricante:
- SCTW100N65G2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal 10 unidades (fornecido em tubo)*
256,20 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 16 de julho de 2027
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 10 - 24 | 25,62 € |
| 25 + | 25,06 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 202-5486P
- Referência do fabricante:
- SCTW100N65G2AG
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Encapsulado | H2PAK | |
| Serie | SCT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.105Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 22V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 162nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 420W | |
| Tensión directa Vf | 2.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Anchura | 5.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Altura | 34.95mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Encapsulado H2PAK | ||
Serie SCT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.105Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 22V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 162nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 420W | ||
Tensión directa Vf 2.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Anchura 5.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.75mm | ||
Altura 34.95mm | ||
Estándar de automoción No | ||
STMicroelectronics el MOSFET de potencia de carburo de silicio de grado de automoción se ha desarrollado utilizando la tecnología Advanced e innovadora 2nd generación de SiC MOSFET de ST. El dispositivo dispone de una resistencia de conexión muy baja por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación.
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Baja capacitancia