MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 119 A, Mejora, Hip-247 de 3 pines
- Código RS:
- 201-0887P
- Referência do fabricante:
- SCTW90N65G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 5 - 9 | 28,56 € |
| 10 - 24 | 27,82 € |
| 25 - 49 | 27,11 € |
| 50 + | 26,42 € |
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- Código RS:
- 201-0887P
- Referência do fabricante:
- SCTW90N65G2V
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 119A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | SCTW90 | |
| Encapsulado | Hip-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 24mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 565W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 157nC | |
| Tensión directa Vf | 2.5V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 18 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 200°C | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Altura | 20.15mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 119A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie SCTW90 | ||
Encapsulado Hip-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 24mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 565W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 157nC | ||
Tensión directa Vf 2.5V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 18 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 200°C | ||
Longitud 15.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Altura 20.15mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de carburo de silicio 650V de STMicroelectronics tiene una corriente nominal de 119A y resistencia de drenaje a fuente de 18m ohmios. Tiene baja resistencia de conexión por área de unidad y muy buen rendimiento de conmutación. La variación de la pérdida de conmutación es casi independiente de la temperatura de unión.
Capacidad de temperatura de unión de funcionamiento muy alta (TJ = 175 °C)
Diodo de cuerpo intrínseco muy rápido y robusto
Capacidad de entrada y carga de puerta extremadamente baja