MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMYS011N04CTWG, VDSS 40 V, ID 35 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Ver tudo MOSFET

Subtotal (1 embalagem de 30 unidades)*

23,16 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Últimas unidades em stock
  • Última(s) 2970 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
30 +0,772 €23,16 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
195-2533
Referência do fabricante:
NTMYS011N04CTWG
Fabricante:
onsemi
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

35A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

LFPAK

Serie

NTMYS011N04C

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

12mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

28W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7.9nC

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.15mm

Anchura

4.25 mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de alimentación industrial en un encapsulado de cable plano de 5 x 6 mm diseñado para modelos compactos y eficaces con alto rendimiento térmico.

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

Encapsulado Lfpak4, Estándar Del Sector

Estos dispositivos no contienen plomo

Links relacionados