MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP26N60DM6, VDSS 600 V, ID 15 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 192-4925P
- Referência do fabricante:
- STP26N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal 10 unidades (fornecido em tubo)*
44,35 €
Adicione 20 unidades para obter entrega gratuita
Fora de stock temporariamente
- Envio de 66 unidade(s) a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 10 - 18 | 4,435 € |
| 20 - 48 | 4,195 € |
| 50 - 98 | 3,965 € |
| 100 + | 3,775 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 192-4925P
- Referência do fabricante:
- STP26N60DM6
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 15A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 195mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 24nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 110W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 4.6 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 15.75mm | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 15A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 195mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 24nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 110W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 4.6 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 15.75mm | ||
Longitud 10.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
Este MOSFET de potencia de canal N de alto voltaje forma parte de la serie de diodos de recuperación rápida DM6 de MDmesh™. En comparación con la generación rápida anterior de MDmesh, DM6 combina una carga de recuperación muy baja (Qrr), tiempo de recuperación (trr) y una excelente mejora en RDS(on) por área con un comportamiento de conmutación eficaz para las topologías de puente de alta eficiencia más exigentes y los convertidores de cambio de fase ZVS.
Diodo de cuerpo de recuperación rápida
RDS(on) inferior por área frente a la generación anterior
Baja carga de compuerta, capacitancia de entrada y resistencia
Muy alta resistencia dv/dt
Protección Zener