MOSFET, N-Canal STMicroelectronics, VDSS 950 V, ID 9 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 188-8295
- Referência do fabricante:
- STP6N95K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 188-8295
- Referência do fabricante:
- STP6N95K5
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 950V | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.25Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 90W | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 13nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 15.75mm | |
| Anchura | 4.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 950V | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.25Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 90W | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 13nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 15.75mm | ||
Anchura 4.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
These very high voltage N-channel Power MOSFETs are designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications Product status link requiring superior power density and high efficiency.
Ultra low gate charge
Zener-protected
Applications
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