MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiSHA14DN-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 20 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*

14,575 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Últimas unidades em stock
  • Última(s) 5825 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
25 - 2250,583 €14,58 €
250 - 6000,554 €13,85 €
625 - 12250,496 €12,40 €
1250 - 24750,356 €8,90 €
2500 +0,28 €7,00 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
188-4957
Referência do fabricante:
SiSHA14DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

20A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

PowerPAK 1212

Serie

SiSHA14DN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

26.5W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

19.4nC

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Altura

0.93mm

Anchura

3.3 mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MOSFET N-Channel 30 V (D-S).

MOSFET de alimentación TrenchFET® Gen IV

Links relacionados