MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMTS0D6N04CTXG, VDSS 40 V, ID 533 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 186-1425
- Referência do fabricante:
- NVMTS0D6N04CTXG
- Fabricante:
- onsemi
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 embalagem de 5 unidades)*
30,90 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 2245 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Embalagem* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 6,18 € | 30,90 € |
| 50 - 95 | 5,328 € | 26,64 € |
| 100 + | 4,618 € | 23,09 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 186-1425
- Referência do fabricante:
- NVMTS0D6N04CTXG
- Fabricante:
- onsemi
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 533A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Serie | NVMTS0D6N04C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 480μΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 245W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 187nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.15mm | |
| Longitud | 8.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 533A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado DFN | ||
Serie NVMTS0D6N04C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 480μΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 245W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 187nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.15mm | ||
Longitud 8.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: Não conforme
Automotive Power MOSFET in a 8x8mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Small Footprint (8x8 mm)
Low RDS(on)
Low QG and Capacitance
Wettable Flank Option
PPAP Capable
Compact Design
Minimize Conduction Losses
Minimize Driver Losses
Enhanced Optical Inspection
Applications
Reverser Battery protection
Switching power supplies
Power switches (High Side Driver, Low Side Driver, H-Bridges etc.)
End Products
Motor Control – EPS, Wipers, Fans, Seats, etc.
Load Switch – ECU, Chassis, Body
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 533 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTMTS0D6N04CTXG, VDSS 40 V, ID 533 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 89 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 80 V, ID 103 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 553.8 A, Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 362 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 60 V, ID 71 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 40 V, ID 78 A, Mejora, DFN de 5 pines