MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 5.5 V, ID 1.2 A, SC-70-6 de 6 pines

Código RS:: 180-7353
Referência do fabricante:: SIP32431DR3-T1GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 5.5 V, ID 1.2 A, SC-70-6 de 6 pines

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Código RS:: 180-7353
Referência do fabricante:: SIP32431DR3-T1GE3
Fabricante:: Vishay

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld	1.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	5.5V
	Serie	SiP32431DR
	Encapsulado	SC-70-6
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	147mΩ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-40°C
	Disipación de potencia máxima Pd	250mW
	Temperatura de funcionamiento máxima	85°C
	Anchura	2.2mm
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Longitud	2.15mm
	Altura	1.1mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Vishay
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo P
	Corriente continua máxima de drenaje ld 1.2A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 5.5V
	Serie SiP32431DR
	Encapsulado SC-70-6
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 147mΩ
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C
	Disipación de potencia máxima Pd 250mW
	Temperatura de funcionamiento máxima 85°C
	Anchura 2.2mm
	Certificaciones y estándares RoHS
	Longitud 2.15mm
	Altura 1.1mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origem):: TW

MOSFET serie SiP32431DR de Vishay, tensión de fuente de drenaje máxima de 5,5 V, corriente de drenaje continua máxima de 1,2 A - SIP32431DR3-T1GE3

Este MOSFET es un transistor de montaje en superficie de canal P diseñado para conmutación de baja tensión en conjuntos electrónicos compactos. Funciona en un rango de temperaturas modesto para entornos industriales típicos y se suministra en un pequeño encapsulado SMD de 6 cables adecuado para diseños de placa densos. El dispositivo se dirige a aplicaciones que requieren conmutación de baja corriente controlada y manejo de potencia modesta en sistemas automatizados y electrónicos.

Características y ventajas:

• La tensión de fuente de drenaje máxima de 5,5 V permite la capacidad de conmutación de baja tensión
• La corriente de drenaje nominal continua de 1,2 A admite corrientes de carga moderadas
• La resistencia de conexión de fuente de drenaje de 147 mΩ reduce las pérdidas de conducción
• La disipación de potencia de 250 mW limita el aumento térmico en condiciones estables
• El rango de funcionamiento de -40 a 85 °C permite su uso en entornos comunes
• La conformidad con RoHS simplifica la gestión de materiales del producto final

Aplicaciones

• Apto para accionamiento de puerta y cambio de nivel en módulos de control
• Ideal para la gestión de desconexiones de batería de baja tensión
• Se utiliza para conmutación de carga en sensores de automatización compactos
• Puede utilizarse para la protección de la ruta de señal en equipos de medición
• Se utiliza con pequeños circuitos de gestión de potencia en PCB densas

¿Qué estilo de montaje utiliza para el montaje de PCB?

Se trata de un dispositivo de montaje en superficie en un encapsulado SC‐70‐6 de seis cables para colocación automatizada.

¿Cómo gestiona el dispositivo los límites térmicos durante el funcionamiento continuo?

Su disipación de potencia constante máxima es de 250 mW, por lo que el diseño térmico de la placa y el área de cobre deben coincidir con la disipación esperada para mantener temperaturas de unión seguras.

¿Es este dispositivo adecuado para la certificación de sistemas de automoción?

No está especificado como estándar de automoción aprobado y no debe asumirse para sistemas de vehículos cualificados.

¿Qué tipo de conducción proporciona el transistor?

El componente es un MOSFET de canal P, que proporciona conducción de canal de tipo P para conmutación sensible al lado alto o a la polaridad.