MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTHL110N65S3F, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 178-4486
- Referência do fabricante:
- NTHL110N65S3F
- Fabricante:
- onsemi
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- 178-4486
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- NTHL110N65S3F
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | NTHL | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 110mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 240W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Anchura | 4.82 mm | |
| Altura | 20.82mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie NTHL | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 110mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 240W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.87mm | ||
Anchura 4.82 mm | ||
Altura 20.82mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate.
Features:
700 V @ TJ = 150 °C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 58 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 553 pF)
Excellent body diode performance (low Qrr, robust body diode)
Optimized Capacitance
Typ. RDS(on) = 98 mΩ
Benefits:
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
Lower switching loss
Higher system reliability in LLC and Phase shift full bridge circuit
Lower peak Vds and lower Vgs oscillation
Applications:
Telecommunication
Cloud system
Industrial
End Products:
Telecom power
Server power
EV charger
Solar / UPS
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