MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 33 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 178-0893
- Referência do fabricante:
- SIHG33N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 tubo de 50 unidades)*
151,80 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 450 unidade(s) a partir do dia 23 de fevereiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 3,036 € | 151,80 € |
| 100 + | 2,884 € | 144,20 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 178-0893
- Referência do fabricante:
- SIHG33N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 98mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 103nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Altura | 20.82mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.31 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 98mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 103nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 15.87mm | ||
Altura 20.82mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.31 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor
Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa
Bajo factor de mérito (FOM)
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiHG33N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 33 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 600 V, ID 33 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NTHL099N60S5, VDSS 600 V, ID 33 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 61 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 48 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 29 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 70 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 600 V, ID 40 A, Mejora, Super-247 de 3 pines