MOSFET, N-Canal Vishay SIHG33N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 33 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 178-0893
- Referência do fabricante:
- SIHG33N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 178-0893
- Referência do fabricante:
- SIHG33N60EF-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
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Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 33A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | EF | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 98mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 103nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -30V, +30V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 278W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.82mm | |
| Anchura | 5.31mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 33A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie EF | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 98mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 103nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -30V, +30V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 278W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.82mm | ||
Anchura 5.31mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 15.87mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor
Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa
Bajo factor de mérito (FOM)
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
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