MOSFET, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 200 V, ID 960 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 177-7608
- Referência do fabricante:
- IRFL210TRPBF
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
952,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 15 de abril de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,381 € | 952,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 177-7608
- Referência do fabricante:
- IRFL210TRPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 960mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | IRFL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.2nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.1W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.8mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.7 mm | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 960mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie IRFL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.2nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.1W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.8mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.7 mm | ||
Longitud 6.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de canal N, de 200 V a 250 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Vishay IRFL210TRPBF, VDSS 200 V, ID 960 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal onsemi, VDSS 200 V, ID 850 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 660 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 250 V, ID 430 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 450 V, ID 140 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal DiodesZetex, VDSS 240 V, ID 480 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal DiodesZetex, VDSS 100 V, ID 500 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 400 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines