MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 30.8 A, Mejora, DFN de 5 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*

9 922,50 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 20 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Bobina*
2500 - 25003,969 €9 922,50 €
5000 +3,747 €9 367,50 €

*preço indicativo

Código RS:
171-2421
Referência do fabricante:
TK31V60W5
Fabricante:
Toshiba
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Toshiba

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

30.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

109mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

-1.7V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

105nC

Disipación de potencia máxima Pd

240W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

8 mm

Longitud

8mm

Altura

0.85mm

Estándar de automoción

No

Estado RoHS: Não aplicável

COO (País de Origem):
CN
Reguladores de tensión de conmutación

Tiempo de recuperación inversa rápido: trr = 135 ns (típ.)

Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 0,087 mΩ (típ)

Conmutación de puerta de control sencilla

Modo de mejora: Vth = 3 a 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)

Links relacionados