MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 30.8 A, Mejora, DFN de 5 pines
- Código RS:
- 171-2421
- Referência do fabricante:
- TK31V60W5
- Fabricante:
- Toshiba
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
9 922,50 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 20 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 3,969 € | 9 922,50 € |
| 5000 + | 3,747 € | 9 367,50 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 171-2421
- Referência do fabricante:
- TK31V60W5
- Fabricante:
- Toshiba
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Toshiba | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30.8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 109mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | -1.7V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 105nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 240W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 8 mm | |
| Longitud | 8mm | |
| Altura | 0.85mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Toshiba | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30.8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 109mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf -1.7V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 105nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 240W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 8 mm | ||
Longitud 8mm | ||
Altura 0.85mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: Não aplicável
- COO (País de Origem):
- CN
Reguladores de tensión de conmutación
Tiempo de recuperación inversa rápido: trr = 135 ns (típ.)
Baja resistencia de conexión drenador-fuente: RDS(ON) = 0,087 mΩ (típ)
Conmutación de puerta de control sencilla
Modo de mejora: Vth = 3 a 4,5 V (VDS = 10 V, ID = 1,5 mA)
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK31V60W5, VDSS 600 V, ID 30.8 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba TK099V65Z,LQ(S, VDSS 650 V, ID 30 A, Mejora, DFN de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-3P de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 9.7 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 20 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 11.5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 600 V, ID 11.5 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
