Transistor de efecto de campo, Tipo N-Canal Toshiba, VDSS 20 V, ID 4.2 A, Mejora, UF de 6 pines

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Código RS:
171-2405
Referência do fabricante:
SSM6K403TU
Fabricante:
Toshiba
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Marca

Toshiba

Tipo de producto

Transistor de efecto de campo

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

4.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

20V

Encapsulado

UF

Serie

SSM6K403TU

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

66mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.8nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

500mW

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±10 V

Tensión directa Vf

-0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.7mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

2 mm

Longitud

1.7mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
TH
Accionamiento de 1,5 V

Baja resistencia de conexión: Ron = 66 mΩ (máx) (a VGS = 1,5V)

Ron = 43 mΩ (máx) (a VGS = 1,8 V)

Ron = 32 mΩ (máx) (a VGS = 2,5 V)

Ron = 28 mΩ (máx) (a VGS = 4,0 V)

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