MOSFET Nexperia PMV16XNR, VDSS 20 V, ID 8,6 A, TO-236 de 3 pines, , config. Simple

Soluciones de conmutación para sus diseños portátiles. Elija entre una amplia gama de MOSFET de canal N simples y dobles hasta 20 V. Excelente fiabilidad gracias a nuestras fiables tecnologías TrenchMOS y de encapsulado Fáciles de usar, nuestros MOSFET de baja tensión están diseñados específicamente para satisfacer las exigencias de las aplicaciones portátiles con bajo nivel de tensión.

Transistor de efecto campo (FET) de modo de mejora de canal N en un encapsulado de plástico de dispositivo de montaje superficial (SMD) SOT363 (TO-236AB) pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET.

Tecnología MOSFET Trench
Baja tensión de umbral
Conmutación muy rápida
Capacidad de disipación de potencia mejorada de 1200 mW
Aplicaciones de destino
Controlador LED
Administración de potencia
Interruptor de carga de lado bajo
Circuitos de conmutación