MOSFET IXYS IXFH60N50P3, VDSS 500 V, ID 60 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 168-4730
Referência do fabricante:: IXFH60N50P3
Fabricante:: IXYS

MOSFET IXYS IXFH60N50P3, VDSS 500 V, ID 60 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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Unidades	Por unidade	Por Tubo**
30 - 30	9,096 €	272,88 €
60 - 120	8,641 €	259,23 €
150 +	8,186 €	245,58 €

**preço indicativo

Código RS:: 168-4730
Referência do fabricante:: IXFH60N50P3
Fabricante:: IXYS

IXFT60N50P3, IXFQ60N50P3, IXFH60N50P3, Polar3 HiperFET, Power MOSFET, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	60 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	500 V
Serie	HiperFET, Polar3
Tipo de Encapsulado	TO-247
Tipo de Montaje	Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	100 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Disipación de Potencia Máxima	1,04 kW
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-30 V, +30 V
Ancho	5.3mm
Material del transistor	Si
Longitud	16.26mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	96 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	21.46mm

MOSFET IXYS IXFH60N50P3, VDSS 500 V, ID 60 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

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MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar3™