MOSFET Infineon, Tipo N, Tipo P-Canal, VDSS 30 V, ID 2.7 A, MSOP, Mejora de 8 pines, 2, config. Aislado
- Código RS:
- 166-0907
- Referência do fabricante:
- IRF7509TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 166-0907
- Referência do fabricante:
- IRF7509TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N, Tipo P | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | MSOP | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 200mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.25W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Configuración de transistor | Aislado | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3mm | |
| Altura | 0.86mm | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N, Tipo P | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado MSOP | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 200mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.25W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Configuración de transistor Aislado | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3mm | ||
Altura 0.86mm | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de potencia de canal N/P doble para automoción, Infineon
Los MOSFET de potencia dobles de Infineon integran dos dispositivos HEXFET® que permiten soluciones de conmutación rentables que ocupan menos espacio en un formato de alta densidad en placas con espacio reducido. Hay disponible una amplia variedad de opciones de encapsulado, incluida la configuración de canal N/P doble.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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