MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- Código RS:
- 165-7247
- Referência do fabricante:
- SI1308EDL-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*
249,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Últimas unidades em stock
- Última(s) 12.000 unidade(s) diponível/disponíveis para envio a partir de outro centro de distribuição
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,083 € | 249,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 165-7247
- Referência do fabricante:
- SI1308EDL-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | SOT-323 | |
| Serie | Si1308EDL | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.185Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 1.4nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±12 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.5W | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 2.2mm | |
| Altura | 1mm | |
| Anchura | 1.35 mm | |
| Certificaciones y estándares | Lead (Pb)-Free | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado SOT-323 | ||
Serie Si1308EDL | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.185Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 1.4nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±12 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.5W | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 2.2mm | ||
Altura 1mm | ||
Anchura 1.35 mm | ||
Certificaciones y estándares Lead (Pb)-Free | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor
Links relacionados
- MOSFET de potencia, Tipo N-Canal Vishay Si1308EDL-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi, VDSS 8 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal onsemi NTS2101PT1G, VDSS 8 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RSF015N06TL, VDSS 60 V, ID 1.5 A, Mejora, SOT-323 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 8 V, ID 4.4 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 60 V, ID 1.2 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 12 V, ID 6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 7.6 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
