MOSFET, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 200 V, ID 4 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
165-6000
Referência do fabricante:
SIHF9630STRL-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Encapsulado

TO-263

Serie

SiHF9630S

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

800mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

74W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

-6.5V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

10.67mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

4.83mm

Anchura

9.65 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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