MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SIHF9630STRL-GE3, VDSS 200 V, ID 4 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Sem stock actualmente
Lamentamos, mas não temos previsão para a reposição deste artigo
Código RS:
165-6000
Referência do fabricante:
SIHF9630STRL-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

4A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

200V

Serie

SiHF9630S

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

800mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

74W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-20V, +20V

Tensión directa Vf

-6.5V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

29nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.65mm

Altura

4.83mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN

MOSFET de canal P, de 100 V a 400 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados

Mantenha-se a par das últimas novidades e ofertas

Introduza o seu endereço de email

A informação pessoal que nos proporcionar ao subscrever esta newsletter será processada de acordo com a nossa política de privacidade.