MOSFET de automoción, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 30 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
165-5835
Referência do fabricante:
IRFR4105ZTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de automoción

Corriente continua máxima de drenaje ld

30A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

TO-252

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

24.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Disipación de potencia máxima Pd

120W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

6.73mm

Altura

2.39mm

Anchura

6.22 mm

Certificaciones y estándares

Automotive (Q101)

Estándar de automoción

AEC-Q101

COO (País de Origem):
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 30 A, disipación de potencia máxima de 48 W - IRFR4105ZTRPBF


Este MOSFET está diseñado para ofrecer una alta eficiencia y fiabilidad en una gran variedad de aplicaciones electrónicas. Es esencial para la regulación de la tensión y la conmutación, y satisface las necesidades de los sectores de la automatización, la electrónica y la ingeniería eléctrica gracias a sus sólidas prestaciones. La baja resistencia a la conexión del dispositivo y su capacidad para manejar altas corrientes de drenaje continuas permiten su uso en entornos exigentes.

Características y ventajas


• La corriente de drenaje continua máxima de 30 A garantiza un gran rendimiento

• Funciona a una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V para aplicaciones de alta tensión

• El bajo RDS(on) de 24,5mΩ mejora la eficiencia energética

• Resiste fluctuaciones de temperatura de hasta +175°C

• La tecnología de modo de mejora proporciona un funcionamiento conmutado fiable

• El encapsulado DPAK TO-252 facilita el montaje en superficie

Aplicaciones


• Sistemas de gestión de la energía para una regulación eficaz de la tensión

• Controladores de motor y convertidores de potencia en automatización

• Fuentes de alimentación conmutadas e inversores

• Electrónica de consumo que requiere un control eficiente de la energía

¿Cuál es la tensión umbral máxima de la puerta?


La tensión umbral de puerta máxima es de 4 V, lo que permite un control de puerta óptimo en aplicaciones de conmutación.

¿Puede soportar altas temperaturas?


Sí, este MOSFET funciona eficientemente a temperaturas que oscilan entre -55 °C y +175 °C, adecuado para entornos difíciles.

¿Este MOSFET es apto para montaje en superficie?


Sí, se presenta en un encapsulado DPAK TO-252 diseñado para una integración sencilla en montaje superficial.

¿Cómo se compara con otros MOSFET en términos de disipación de potencia?


La capacidad máxima de disipación de energía es de 48 W, lo que le permite gestionar cargas importantes con eficacia.

¿Qué tipo de aplicaciones son las más compatibles con este componente?


Es especialmente eficaz en aplicaciones que requieren alta eficiencia, como el control de motores, los convertidores de potencia y los sistemas eléctricos de automatización.

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