MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 72 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

Código RS:: 165-5802
Referência do fabricante:: IRFI4110GPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 72 A, Mejora, TO-220 de 3 pines

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Código RS:: 165-5802
Referência do fabricante:: IRFI4110GPBF
Fabricante:: Infineon

Especificações

Documentação Técnica

Legislação e Conformidade

Detalhes do produto

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Selecionar tudo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	72A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Encapsulado	TO-220
	Serie	HEXFET
	Tipo de montaje	Orificio pasante
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	4.5mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd	61W
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	190nC
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.75mm
	Anchura	4.83 mm
	Altura	16.13mm
	Estándar de automoción	No

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	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 72A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Encapsulado TO-220
	Serie HEXFET
	Tipo de montaje Orificio pasante
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5mΩ
	Modo de canal Mejora
	Disipación de potencia máxima Pd 61W
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 190nC
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.75mm
	Anchura 4.83 mm
	Altura 16.13mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origem):: CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 72 A, disipación de potencia máxima de 61 W - IRFI4110GPBF

Este MOSFET de canal n está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, proporcionando un manejo eficiente de la corriente y una alta tolerancia a la tensión. Es esencial en diversos dispositivos electrónicos y garantiza un funcionamiento robusto en entornos difíciles. Su rendimiento en la conmutación de potencia y la gestión térmica lo convierten en un componente preferido en los sectores de la automatización, la electrónica y la mecánica.

Características y ventajas

• Capacidad de corriente de drenaje continua de 72 A

• Baja resistencia Rds(on) para mejorar la eficiencia operativa

• Modo de mejora para un rendimiento eficaz

• Tensión nominal máxima de drenaje-fuente de 100 V

• Excelente gestión térmica hasta +175°C

• Mayor resistencia a las avalanchas para una mayor fiabilidad

Aplicaciones

• Adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia

• Ideal para sistemas de alimentación ininterrumpida

• Compatible con la conmutación de potencia de alta velocidad

• Utilizado en circuitos de conmutación dura y alta frecuencia

¿Cuál es la corriente de drenaje continua máxima para su aplicación?

La corriente de drenaje continua es de 72 A en condiciones óptimas, lo que la hace adecuada para aplicaciones exigentes.

¿Qué importancia tiene la tensión umbral de puerta?

La tensión umbral de puerta oscila entre 2 V y 4 V, lo que permite un control preciso de las características de conmutación.

¿Cómo gestiona el MOSFET el rendimiento térmico?

Tiene una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, lo que favorece su durabilidad en entornos de altas temperaturas.

¿Qué ventajas ofrece una Rds(on) baja en el rendimiento del dispositivo?

La baja Rds(on) reduce las pérdidas de potencia durante la conmutación, lo que mejora la eficiencia global.

¿Puede este producto manejar circuitos de alta frecuencia?

Sí, está diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación dura y alta frecuencia, lo que garantiza un rendimiento constante.