MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 72 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 165-5802
- Referência do fabricante:
- IRFI4110GPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 165-5802
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- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 72A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 190nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 61W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 4.83 mm | |
| Altura | 16.13mm | |
| Longitud | 10.75mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 72A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 190nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 61W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 4.83 mm | ||
Altura 16.13mm | ||
Longitud 10.75mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 72 A, disipación de potencia máxima de 61 W - IRFI4110GPBF
Este MOSFET de canal n está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento, proporcionando un manejo eficiente de la corriente y una alta tolerancia a la tensión. Es esencial en diversos dispositivos electrónicos y garantiza un funcionamiento robusto en entornos difíciles. Su rendimiento en la conmutación de potencia y la gestión térmica lo convierten en un componente preferido en los sectores de la automatización, la electrónica y la mecánica.
Características y ventajas
• Capacidad de corriente de drenaje continua de 72 A
• Baja resistencia Rds(on) para mejorar la eficiencia operativa
• Modo de mejora para un rendimiento eficaz
• Tensión nominal máxima de drenaje-fuente de 100 V
• Excelente gestión térmica hasta +175°C
• Mayor resistencia a las avalanchas para una mayor fiabilidad
Aplicaciones
• Adecuado para rectificación síncrona de alta eficiencia
• Ideal para sistemas de alimentación ininterrumpida
• Compatible con la conmutación de potencia de alta velocidad
• Utilizado en circuitos de conmutación dura y alta frecuencia
¿Cuál es la corriente de drenaje continua máxima para su aplicación?
La corriente de drenaje continua es de 72 A en condiciones óptimas, lo que la hace adecuada para aplicaciones exigentes.
¿Qué importancia tiene la tensión umbral de puerta?
La tensión umbral de puerta oscila entre 2 V y 4 V, lo que permite un control preciso de las características de conmutación.
¿Cómo gestiona el MOSFET el rendimiento térmico?
Tiene una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, lo que favorece su durabilidad en entornos de altas temperaturas.
¿Qué ventajas ofrece una Rds(on) baja en el rendimiento del dispositivo?
La baja Rds(on) reduce las pérdidas de potencia durante la conmutación, lo que mejora la eficiencia global.
¿Puede este producto manejar circuitos de alta frecuencia?
Sí, está diseñado específicamente para aplicaciones de conmutación dura y alta frecuencia, lo que garantiza un rendimiento constante.
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