MOSFET Texas Instruments CSD16340Q3, VDSS 25 V, ID 60 A, SON de 8 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 162-8530
- Referência do fabricante:
- CSD16340Q3
- Fabricante:
- Texas Instruments
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Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
1 055,00 €
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 - 10000 | 0,422 € | 1 055,00 € |
| 12500 + | 0,412 € | 1 030,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 162-8530
- Referência do fabricante:
- CSD16340Q3
- Fabricante:
- Texas Instruments
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Texas Instruments | |
| Tipo de Canal | N | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 60 A | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 25 V | |
| Tipo de Encapsulado | SON | |
| Serie | NexFET | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 8 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 7,8 mΩ | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 1.1V | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 0.6V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 3 W | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -8 V, +10 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Ancho | 3.4mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 6,5 nC a 4,5 V | |
| Material del transistor | Si | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Texas Instruments | ||
Tipo de Canal N | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 60 A | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 25 V | ||
Tipo de Encapsulado SON | ||
Serie NexFET | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 8 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 7,8 mΩ | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta máxima 1.1V | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 0.6V | ||
Disipación de Potencia Máxima 3 W | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -8 V, +10 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Ancho 3.4mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 6,5 nC a 4,5 V | ||
Material del transistor Si | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Altura 1.1mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
- COO (País de Origem):
- MY