MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 80 V, ID 26 A, Mejora, LFPAK de 4 pines

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Código RS:
152-7741
Referência do fabricante:
BUK9M35-80EX
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

26A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

BUK9M3580E

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

88mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

62W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

15 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

2.6 mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

0.9mm

Longitud

3.4mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET de nivel lógico de canal N de 80 V, 35 mΩ en LFPAK33, MOFSET de canal N de nivel lógico en un encapsulado LFPAK33 (Power33) usando tecnología TrenchMOS. Este producto se ha diseñado y cualificado conforme a AEC Q101 para usar en aplicaciones de automoción de alto rendimiento.

Compatible con Q101

Índice de avalancha repetitiva

Adecuado para entornos térmicos exigentes con un índice hasta 175 °C

Puerta de nivel lógico real con calificación VGS(th) de más de 0,5 V a 175 °C

Sistemas de automoción de 12 V, 24 V y 48 V

Control de solenoides, motores y lámparas

Control de transmisión

Conmutación de potencia de ultra alto rendimiento

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