MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 146-1788
- Referência do fabricante:
- IXFH34N65X2
- Fabricante:
- IXYS
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 tubo de 30 unidades)*
126,72 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 180 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 30 + | 4,224 € | 126,72 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 146-1788
- Referência do fabricante:
- IXFH34N65X2
- Fabricante:
- IXYS
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | IXYS | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 34A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 100mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 56nC | |
| Tensión directa Vf | 1.4V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 540W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.3mm | |
| Longitud | 16.24mm | |
| Anchura | 21.45 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca IXYS | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 34A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 100mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 56nC | ||
Tensión directa Vf 1.4V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 540W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.3mm | ||
Longitud 16.24mm | ||
Anchura 21.45 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- US
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiPerFET™ serie X2
El MOSFET IXYS HiPerFET™ serie X2 ofrece una baja resistencia en funcionamiento y carga de compuerta, menor que en las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, se reducen las pérdidas y aumenta la eficiencia operativa. Estos dispositivos incorporan un diodo intrínseco de alta velocidad y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en muchos tipos estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares, y control de iluminación y temperatura.
Muy bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Diodo rectificador rápido intrínseco
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar del sector
Transistores MOSFET, IXYS
Amplia gama de MOSFET avanzados de potencia discretos de IXYS
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXFH34N65X2, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS IXTH34N65X2, VDSS 650 V, ID 34 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 500 V, ID 34 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 80 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 48 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 46 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal IXYS, VDSS 650 V, ID 62 A, Mejora, TO-247 de 3 pines