MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIRA88DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 45.5 A, Mejora, SO-8 de 8 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 embalagem de 25 unidades)*

3,90 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 10 de agosto de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es)
Por unidade
Por Embalagem*
25 - 2250,156 €3,90 €
250 - 6000,152 €3,80 €
625 - 12250,148 €3,70 €
1250 - 24750,144 €3,60 €
2500 +0,141 €3,53 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
134-9696
Referência do fabricante:
SIRA88DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

45.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

TrenchFET

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

16.8nC

Disipación de potencia máxima Pd

25W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.25mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

5.26 mm

Altura

1.12mm

Estándar de automoción

No

MOSFET de canal N, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Links relacionados