MOSFET, N-Canal Infineon IPN50R950CEATMA1, VDSS 550 V, ID 6.6 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
130-0916
Referência do fabricante:
IPN50R950CEATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

6.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

550V

Encapsulado

SOT-223

Serie

CoolMOS CE

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

950mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

830mV

Tensión máxima de la fuente de la puerta

-30V, +30V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

5W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.7mm

Longitud

6.7mm

Anchura

3.7mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS™ CE Power MOSFET


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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