MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 124-8762
- Referência do fabricante:
- IRFP250MPBF
- Fabricante:
- Infineon
A imagem representada pode não ser a do produto
Sem stock actualmente
Não sabemos se este item estará de novo em stock, a RS pretende retirá-lo em breve da sua gama.
- Código RS:
- 124-8762
- Referência do fabricante:
- IRFP250MPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 75mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 214W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 123nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 16.13mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.2mm | |
| Altura | 21.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 75mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 214W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 123nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 16.13mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.2mm | ||
Altura 21.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 30 A, disipación de potencia máxima de 214 W - IRFP250MPBF
Este MOSFET de canal N está diseñado para ofrecer un alto rendimiento y eficiencia en una gran variedad de aplicaciones. Ofrece una corriente de drenaje continua máxima de 30 A y una tensión nominal de drenaje-fuente de 200 V, lo que lo hace adecuado para tareas en los sectores de la automatización y la electrónica. Su diseño garantiza un rendimiento térmico eficaz, lo que potencia su uso en las industrias eléctrica y mecánica.
Características y ventajas
• El valor nominal dinámico dv/dt garantiza la estabilidad durante el funcionamiento
• Capacidad térmica mejorada, con una temperatura de funcionamiento de hasta 175°C
• La baja resistencia a la conexión reduce las pérdidas de potencia
• Protección total contra avalanchas y sobretensiones
• Requisitos de accionamiento sencillos para facilitar la integración en los diseños
Aplicaciones
• Adecuado para conmutación de alta frecuencia
• Ideal para fuentes de alimentación y convertidores
• Aplicable en sistemas de control de motores y accionamientos industriales
• Utilizados en sistemas de energía renovable, como los inversores solares
¿Cómo se gestiona el rendimiento térmico en entornos exigentes?
Las características de resistencia térmica están diseñadas para una disipación eficaz del calor, permitiendo el funcionamiento desde -55°C hasta +175°C.
¿Cuáles son las implicaciones de la baja Rds(on)?
La baja resistencia a la conexión se traduce en una menor disipación de potencia durante la conducción, lo que mejora la eficiencia global del sistema y reduce el estrés térmico sobre los componentes.
¿Se puede utilizar este dispositivo para configuraciones en paralelo?
Sí, el diseño facilita el funcionamiento en paralelo, aumentando la capacidad de corriente y mejorando el rendimiento térmico en aplicaciones de alta potencia.
¿Qué hay que tener en cuenta al seleccionar la tensión de accionamiento de la puerta?
Una tensión de accionamiento de puerta de entre 2 V y 4 V es óptima para garantizar un rendimiento de conmutación suficiente y evitar un funcionamiento no deseado.
¿Qué medidas existen para la protección contra sobretensiones?
El MOSFET está totalmente homologado contra avalanchas, lo que lo protege contra sobretensiones transitorias y garantiza un funcionamiento fiable en condiciones fluctuantes.
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFP250MPBF, VDSS 200 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 100 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 200 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 130 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 50 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 94 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 65 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 30 A, Mejora, TO-247 de 3 pines