MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 40 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 111-6484P
- Referência do fabricante:
- STW48N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal 5 unidades (fornecido em tubo)*
30,55 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 505 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 5 - 9 | 6,11 € |
| 10 - 24 | 5,95 € |
| 25 - 49 | 5,80 € |
| 50 + | 5,65 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 111-6484P
- Referência do fabricante:
- STW48N60DM2
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislation and Compliance
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | MDmesh DM2 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 79mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 300W | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 20.15mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 5.15 mm | |
| Longitud | 15.75mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie MDmesh DM2 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 79mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 300W | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 20.15mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 5.15 mm | ||
Longitud 15.75mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
MDmesh de canal N serie DM2, STMicroelectronics
Los MOSFET MDmesh DM2 ofrecen una baja RDS(on) y, gracias al tiempo de recuperación inversa de diodo mejorado para una mayor eficiencia, esta serie se ha optimizado para topologías de desfase de puente completo ZVS.
Alta capacidad dV/dt para mejorar la fiabilidad del sistema
Certificación AEC-Q101