MOSFET, Canal N-Canal Vishay SiR510DP, VDSS 100 V, ID 126 A, Mejora, PowerPAK SO-8 de 8 pines

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Código RS:
735-164
Referência do fabricante:
SiR510DP
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Canal N

Corriente continua máxima de drenaje ld

126A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

SiR

Encapsulado

PowerPAK SO-8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.0036Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

100V

Disipación de potencia máxima Pd

104W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

54nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

6mm

Longitud

7mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
CN
MOSFET de canal N de Vishay con valor nominal para tensión de drenaje-fuente de 60 V, optimizado para conmutación de alta eficiencia en convertidores dc/dc de servidor de potencia de IA y circuitos de rectificación síncronos. Alcanza una resistencia de conexión muy baja de 1,7 mΩ máximo a un accionamiento de puerta de 10 V para pérdidas de conducción mínimas en aplicaciones de alta corriente

Corriente de drenaje continua de 94 A a TA=25 °C

Carga de puerta total típica de 54,3 nC para una conmutación rápida

Rango de temperaturas de unión ampliado de -55 °C a +175 °C

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