MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip LND150N3-G-P003, VDSS 9 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento,
- Código RS:
- 599-150
- Referência do fabricante:
- LND150N3-G-P003
- Fabricante:
- Microchip
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Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,613 € | 1 226,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 599-150
- Referência do fabricante:
- LND150N3-G-P003
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de canal | FET DMOS de canal N | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 9V | |
| Encapsulado | SOT-23-5 | |
| Serie | LND150 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Modo de canal | Modo de agotamiento | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -25°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 360mW | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Longitud | 3.05mm | |
| Certificaciones y estándares | ISO/TS‑16949, RoHS | |
| Anchura | 1.75mm | |
| Altura | 1.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de canal FET DMOS de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 9V | ||
Encapsulado SOT-23-5 | ||
Serie LND150 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Modo de canal Modo de agotamiento | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -25°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 360mW | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Longitud 3.05mm | ||
Certificaciones y estándares ISO/TS‑16949, RoHS | ||
Anchura 1.75mm | ||
Altura 1.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
El transistor de modo de agotamiento de canal N de alta tensión (normalmente encendido) de Microchip utiliza la tecnología DMOS lateral. La puerta está protegida contra ESD. El LND150 es ideal para aplicaciones de alta tensión en las áreas de interruptores normalmente encendidos, fuentes de corriente constante de precisión, generación de rampa de tensión y amplificación.
Libre de averías secundarias
Necesidad de accionamiento de baja potencia
Facilidad de paralelismo
Excelente estabilidad térmica
Diodo de drenaje de fuente integrado
Alta impedancia de entrada y bajo CISS
Protección de puerta ESD