MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip LND150N3-G-P003, VDSS 9 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento,
- Código RS:
- 599-150
- Referência do fabricante:
- LND150N3-G-P003
- Fabricante:
- Microchip
Subtotal (1 bobina de 2000 unidades)*
1 238,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 10 de setembro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,619 € | 1 238,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 599-150
- Referência do fabricante:
- LND150N3-G-P003
- Fabricante:
- Microchip
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Microchip | |
| Tipo de producto | MOSFET sencillos | |
| Tipo de canal | FET DMOS de canal N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 9V | |
| Serie | LND150 | |
| Encapsulado | SOT-23-5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4Ω | |
| Modo de canal | Modo de agotamiento | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -25°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 360mW | |
| Tensión directa Vf | 1.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Longitud | 3.05mm | |
| Certificaciones y estándares | ISO/TS‑16949, RoHS | |
| Altura | 1.3mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Microchip | ||
Tipo de producto MOSFET sencillos | ||
Tipo de canal FET DMOS de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 9V | ||
Serie LND150 | ||
Encapsulado SOT-23-5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4Ω | ||
Modo de canal Modo de agotamiento | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -25°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 360mW | ||
Tensión directa Vf 1.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Longitud 3.05mm | ||
Certificaciones y estándares ISO/TS‑16949, RoHS | ||
Altura 1.3mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
El transistor de modo de agotamiento de canal N de alta tensión (normalmente encendido) de Microchip utiliza la tecnología DMOS lateral. La puerta está protegida contra ESD. El LND150 es ideal para aplicaciones de alta tensión en las áreas de interruptores normalmente encendidos, fuentes de corriente constante de precisión, generación de rampa de tensión y amplificación.
Libre de averías secundarias
Necesidad de accionamiento de baja potencia
Facilidad de paralelismo
Excelente estabilidad térmica
Diodo de drenaje de fuente integrado
Alta impedancia de entrada y bajo CISS
Protección de puerta ESD
Links relacionados
- MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip DN2540N3-G-P003, VDSS 500 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento,
- MOSFET sencillos, FET DMOS vertical de canal N-Canal Microchip TP2104N3-G-P003, VDSS 40 V, ID 450 mA, Modo de mejora,
- MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip DN2450K4-G, VDSS 500 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento, TO-252
- MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip DN3765K4-G, VDSS 500 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento, TO-252
- MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip DN3545N8-G, VDSS 500 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento, TO-252
- MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip DN2535N5-G, VDSS 500 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento, TO-252
- MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip DN3145N8-G, VDSS 500 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento, TO-252
- MOSFET sencillos, FET DMOS de canal N-Canal Microchip DN2530N8-G, VDSS 500 V, ID 350 mA, Modo de agotamiento, TO-252