MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFB4332PBF, VDSS 250 V, ID 60 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 495-562
- Referência do fabricante:
- IRFB4332PBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 495-562
- Referência do fabricante:
- IRFB4332PBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 60A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 250V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 33mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 390W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 99nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.66mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 9.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 60A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 250V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 33mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 390W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 99nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.66mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 9.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 60 A, disipación de potencia máxima de 390 W - IRFB4332PBF
Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de alto rendimiento en automatización y electrónica. Aprovechando la avanzada tecnología HEXFET, garantiza una eficiencia y fiabilidad óptimas en entornos críticos. El dispositivo presenta unas especificaciones robustas combinadas con un diseño fácil de usar, lo que lo hace adecuado para toda una serie de aplicaciones industriales. Su funcionamiento eficaz en condiciones rigurosas cumple los requisitos de los sistemas electrónicos modernos.
Características y ventajas
• La configuración de canal N permite un flujo de corriente eficiente
• La corriente de drenaje continua nominal de 60 A facilita un gran rendimiento
• La capacidad de alta tensión de hasta 250 V aumenta la versatilidad
• La baja resistencia a la conexión aumenta la eficiencia y minimiza la generación de calor
• El funcionamiento en modo de mejora aumenta la estabilidad de las aplicaciones digitales
• La alta capacidad de disipación de energía contribuye a la fiabilidad bajo carga
Aplicaciones
• Aplicado en sistemas de recuperación de energía para aumentar la eficiencia
• Apto para interruptor de paso donde el espacio es limitado
• Se utiliza en paneles de pantallas de plasma para mejorar el rendimiento
• Ideal para controles de automatización que exigen una corriente alta sostenida
¿Cuál es el intervalo de temperatura para un funcionamiento óptimo?
El dispositivo funciona eficazmente entre -40 °C y +175 °C, lo que le permite funcionar en diversas condiciones ambientales.
¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al rendimiento?
Con una tensión umbral entre 3V y 5V, permite un control preciso en aplicaciones de conmutación.
¿Puede soportar altas corrientes pulsadas?
Sí, el diseño admite corrientes de drenaje pulsadas, lo que permite 230 A en condiciones específicas, lo que resulta ventajoso para aplicaciones transitorias.
¿Cuáles son los requisitos de gestión térmica?
Para mantener un rendimiento óptimo, deben aplicarse medidas de refrigeración adecuadas, teniendo en cuenta una disipación de potencia máxima de 390 W.
¿Es compatible con varias configuraciones de montaje?
El encapsulado TO-220AB permite el montaje directo a través de orificios, lo que mejora la compatibilidad en múltiples diseños de circuitos.
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