MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IQD009N06NM5CGATMA1, VDSS 60 V, ID 445 A, Mejora, PG-TTFN-9 de 9 pines

El MOSFET de Infineon dispone de un transistor de potencia OptiMOS 5 diseñado para un rendimiento de alta eficiencia en varias aplicaciones, lo que proporciona un funcionamiento estable a una tensión máxima de 60 V. Este MOSFET de canal N dispone de una resistencia de conexión baja, que reduce significativamente las pérdidas de potencia, lo que garantiza que sus diseños mantengan una gestión térmica óptima incluso en condiciones exigentes. Con características de avalancha avanzadas y amplias pruebas de fiabilidad, este dispositivo se adapta a aplicaciones industriales que requieren una resistencia térmica superior y un rendimiento robusto. El encapsulado Compact PG TTFN 9 mejora la facilidad de integración en diseños existentes, lo que lo convierte en una opción ideal para los ingenieros que buscan mejorar sus sistemas.

La resistencia de encendido muy baja mejora la eficiencia