MOSFET ROHM, Tipo N-Canal HT8KC5TB1, VDSS 60 V, ID 10 A, HSMT-8, Mejora de 8 pines, 2
- Código RS:
- 264-764
- Referência do fabricante:
- HT8KC5TB1
- Fabricante:
- ROHM
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 10 unidades)*
5,31 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- Mais 100 unidade(s) para enviar a partir do dia 26 de janeiro de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Fita* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,531 € | 5,31 € |
| 100 - 240 | 0,505 € | 5,05 € |
| 250 - 490 | 0,467 € | 4,67 € |
| 500 - 990 | 0,43 € | 4,30 € |
| 1000 + | 0,414 € | 4,14 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 264-764
- Referência do fabricante:
- HT8KC5TB1
- Fabricante:
- ROHM
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | ROHM | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | HSMT-8 | |
| Serie | HP8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.1nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 13W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca ROHM | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado HSMT-8 | ||
Serie HP8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.1nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 13W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
El ROHM 60V 10A Dual Nch+Pch es un MOSFET de baja resistencia de encendido ideal para aplicaciones de conmutación.
Encapsulado de molde pequeño de alta potencia (HSMT8)
Revestimiento de plomo sin Pb y conforme a RoHS
Sin halógenos
Links relacionados
- MOSFET, Tipo P-Canal ROHM RQ3L120BJFRATCB, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RQ3L120BKFRATCB, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RQ3L070BGTB1, VDSS 60 V, ID 20 A, Mejora, HSMT-8 de 8 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM, VDSS 40 V, ID 95 A, Mejora, HSMT-8
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RH6P040BHTB1, VDSS 100 V, ID 40 A, Mejora, HSMT-8
- MOSFET, Tipo N-Canal ROHM RH6G040BGTB1, VDSS 40 V, ID 95 A, Mejora, HSMT-8
- MOSFET ROHM, Tipo N-Canal HT8KC6TB1, VDSS 60 V, ID 15 A, HSMT-8, Mejora de 8 pines, 2
- MOSFET ROHM, Tipo N-Canal RH6L040BGTB1, VDSS 60 V, ID 65 A, HSMT-8, Mejora de 8 pines, 1