MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R3-100SSEJ, VDSS 100 V, ID 255 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

A imagem representada pode não ser a do produto

Desconto aplicável por quantidade

Subtotal (1 fita de 1 unidade)*

6,85 €

Add to Basket
Selecione ou digite a quantidade
Fora de stock temporariamente
  • Envio a partir do dia 28 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s)
Por Fita
1 - 96,85 €
10 - 996,16 €
100 +5,69 €

*preço indicativo

Opções de embalagem:
Código RS:
219-455
Referência do fabricante:
PSMN2R3-100SSEJ
Fabricante:
Nexperia
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo

Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

255A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

LFPAK

Serie

PSM

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.28mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Disipación de potencia máxima Pd

341W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

161nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY
El MOSFET de canal N Nexperia se caracteriza por un RDS(on) muy bajo y un rendimiento mejorado de la zona de funcionamiento seguro en un encapsulado LFPAK88 con clip de cobre de alta fiabilidad. Está optimizado para controladores de intercambio en caliente, capaz de soportar altas corrientes de irrupción y minimizar las pérdidas de I²R para mejorar la eficiencia. Las aplicaciones incluyen intercambio en caliente, conmutación de carga, arranque suave y fusible electrónico.

SOA para un funcionamiento superior en modo lineal

Envase LFPAK88 para aplicaciones que exigen el máximo rendimiento

Links relacionados