MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R5-80SSEJ, VDSS 80 V, ID 225 A, Mejora, LFPAK de 5 pines

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Código RS:
219-451
Referência do fabricante:
PSMN2R5-80SSEJ
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

225A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

PSM

Encapsulado

LFPAK

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

5

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

58nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

10 V

Disipación de potencia máxima Pd

341W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

No

COO (País de Origem):
MY
El MOSFET de canal N Nexperia se caracteriza por un RDS(on) muy bajo y un rendimiento mejorado de la zona de funcionamiento seguro en un encapsulado LFPAK88 con clip de cobre de alta fiabilidad. Está optimizado para controladores de intercambio en caliente, capaz de soportar altas corrientes de irrupción y minimizar las pérdidas de I²R para mejorar la eficiencia. Las aplicaciones incluyen intercambio en caliente, conmutación de carga, arranque suave y fusible electrónico.

SOA para un funcionamiento superior en modo lineal

Envase LFPAK88 para aplicaciones que exigen el máximo rendimiento

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