MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R5-80SSEJ, VDSS 80 V, ID 225 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- Código RS:
- 219-451
- Referência do fabricante:
- PSMN2R5-80SSEJ
- Fabricante:
- Nexperia
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 1 unidade)*
6,96 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Em stock
- 2000 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 - 9 | 6,96 € |
| 10 - 99 | 6,27 € |
| 100 + | 5,78 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 219-451
- Referência do fabricante:
- PSMN2R5-80SSEJ
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 225A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.5mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 58nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 341W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 225A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.5mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 58nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 341W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- MY
El MOSFET de canal N Nexperia se caracteriza por un RDS(on) muy bajo y un rendimiento mejorado de la zona de funcionamiento seguro en un encapsulado LFPAK88 con clip de cobre de alta fiabilidad. Está optimizado para controladores de intercambio en caliente, capaz de soportar altas corrientes de irrupción y minimizar las pérdidas de I²R para mejorar la eficiencia. Las aplicaciones incluyen intercambio en caliente, conmutación de carga, arranque suave y fusible electrónico.
SOA para un funcionamiento superior en modo lineal
Envase LFPAK88 para aplicaciones que exigen el máximo rendimiento
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R9-80SSEJ, VDSS 80 V, ID 286 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R5-40YLBX, VDSS 40 V, ID 160 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 80 V, ID 33 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia, VDSS 80 V, ID 26 A, Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R8-80SSFJ, VDSS 80 V, ID 205 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R6-80YSFX, VDSS 80 V, ID 231 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN4R2-80YSEX, VDSS 80 V, ID 170 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN3R3-80YSFX, VDSS 80 V, ID 160 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
