MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN3R3-80YSFX, VDSS 80 V, ID 160 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- Código RS:
- 219-376
- Referência do fabricante:
- PSMN3R3-80YSFX
- Fabricante:
- Nexperia
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- Código RS:
- 219-376
- Referência do fabricante:
- PSMN3R3-80YSFX
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 160A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | PSM | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 254W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 70nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 10 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 160A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie PSM | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 254W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 70nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- PH
El MOSFET de canal N de Nexperia está calificado para 175 °C. Es ideal para aplicaciones industriales y de consumo. Es adecuado para rectificación síncrona en convertidores ac-dc y dc-dc, conmutación lateral primaria en sistemas dc-dc de 48 V, control de motor BLDC, USB-PD y adaptadores de carga rápida móviles, así como topologías de resonancia y flyback.
Rendimiento de energía de avalancha fuerte
Valor nominal de avalancha y 100 % probado
Libre de Ha y conforme con RoHS
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