MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R0-30YLDX, VDSS 30 V, ID 300 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- Código RS:
- 219-315
- Referência do fabricante:
- PSMN1R0-30YLDX
- Fabricante:
- Nexperia
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Subtotal (1 fita de 1 unidade)*
1,84 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio de 1500 unidade(s) a partir do dia 14 de julho de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Fita(s) | Por Fita |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,84 € |
| 10 - 99 | 1,66 € |
| 100 - 499 | 1,52 € |
| 500 - 999 | 1,40 € |
| 1000 + | 1,27 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 219-315
- Referência do fabricante:
- PSMN1R0-30YLDX
- Fabricante:
- Nexperia
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Nexperia | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 300A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Serie | PSM | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 5 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 57.3nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 238W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Nexperia | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 300A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Serie PSM | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 5 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 57.3nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 238W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
El MOSFET de canal N de Nexperia dispone de la cartera NextPowerS3 que utiliza la exclusiva tecnología SchottkyPlus de NXP que proporciona una alta eficiencia y un bajo rendimiento de pico normalmente asociado con MOSFETS con un diodo Schottky o similar a Schottky integrado, pero sin una corriente de fuga alta problemática. NextPowerS3 es especialmente adecuado para aplicaciones de alta eficiencia a altas frecuencias de conmutación.
Baja inductancia y resistencia parásita
Encapsulado Power SO8 con pinza pegada y matriz de fijación de soldadura de alta fiabilidad
Capaz de soldadura por onda
Conmutación súper rápida con recuperación suave
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R0-30YLDX, VDSS 30 V, ID 300 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN0R9-30YLDX, VDSS 30 V, ID 300 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R0-30YLEX, VDSS 30 V, ID 275 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R0-40YLDX, VDSS 40 V, ID 280 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R0-25YLDX, VDSS 25 V, ID 240 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R0-40YSHX, VDSS 40 V, ID 290 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN1R0-40SSHJ, VDSS 40 V, ID 325 A, Mejora, LFPAK de 5 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal Nexperia PSMN2R0-30YLDX, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, LFPAK de 5 pines