MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STB75NF20, VDSS 200 V, ID 75 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 151-918
- Referência do fabricante:
- STB75NF20
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- Código RS:
- 151-918
- Referência do fabricante:
- STB75NF20
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 75A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | STripFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.034Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 50°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 84nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.6mm | |
| Anchura | 10.4 mm | |
| Longitud | 15.85mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 75A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie STripFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.034Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 50°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 84nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.6mm | ||
Anchura 10.4 mm | ||
Longitud 15.85mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics realizado con el exclusivo proceso STripFET se ha diseñado específicamente para minimizar la capacidad de entrada y la carga de puerta. Por lo tanto, es adecuado como interruptor primario en convertidores dc a dc aislados de alta eficiencia avanzados.
Capacidad dv/dt excepcional
100 % a prueba de avalancha
Carga de puerta baja
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