MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- Código RS:
- 151-906
- Referência do fabricante:
- STD12NF06LT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Subtotal (1 bobina de 2500 unidades)*
1 255,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 80,00 €
Fora de stock temporariamente
- Envio a partir do dia 14 de maio de 2026
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 2500 + | 0,502 € | 1 255,00 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 151-906
- Referência do fabricante:
- STD12NF06LT4
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | TO-252 | |
| Serie | STripFET II | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 90mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | ±16 V | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7.5nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.1mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Anchura | 6.6 mm | |
| Altura | 2.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado TO-252 | ||
Serie STripFET II | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 90mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta ±16 V | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7.5nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.1mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Anchura 6.6 mm | ||
Altura 2.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics, está específicamente diseñado para minimizar la capacitancia de entrada y la carga de puerta. Esto hace que el dispositivo sea adecuado para su uso como interruptor primario en convertidores CC-CC aislados avanzados de alta eficiencia para aplicaciones de telecomunicaciones e informáticas, y aplicaciones con requisitos de conducción de baja carga de puerta.
Excepcional capacidad dv/dt
100% a prueba de avalanchas
Baja carga de puerta
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD12NF06LT4, VDSS 60 V, ID 12 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STD60NF06T4, VDSS 60 V, ID 60 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 24 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 16 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics, VDSS 60 V, ID 10 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
- MOSFET, Tipo P-Canal STMicroelectronics STD35P6LLF6, VDSS 60 V, ID 35 A, Mejora, TO-252 de 3 pines
