MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 54 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 151-783
- Referência do fabricante:
- STWA65N045M9
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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- 151-783
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Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 54A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | MDmesh M9 | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 312W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.5V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 20.10mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
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|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 54A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie MDmesh M9 | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 312W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.5V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 20.10mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de canal N de STMicroelectronics se basa en la tecnología MDmesh M9 de superunión más innovadora, adecuada para MOSFET de media/alta tensión con un RDS(on) por área muy bajo. La tecnología M9 basada en silicio se beneficia de un proceso de fabricación de drenaje múltiple que permite una estructura de dispositivo mejorada. El producto resultante tiene una de las resistencias de conexión y valores de carga de puerta más bajos de todos los MOSFET de potencia de superunión de conmutación rápida basados en silicio, lo que lo hace especialmente adecuado para aplicaciones que requieren una densidad de potencia superior y una eficiencia sobresaliente
Mayor capacidad VDSS
Mayor capacidad dv/dt
Excelente rendimiento de conmutación
Fácil de manejar
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