MOSFET, Doble N-Canal STMicroelectronics STS1DNC45, VDSS 450 V, ID 0.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 151-447P
- Referência do fabricante:
- STS1DNC45
- Fabricante:
- STMicroelectronics
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Unidad(es) | Por unidade |
|---|---|
| 100 - 240 | 1,459 € |
| 250 - 490 | 1,355 € |
| 500 - 990 | 1,244 € |
| 1000 + | 1,198 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 151-447P
- Referência do fabricante:
- STS1DNC45
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Doble N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 450V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.5Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 30 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 10nC | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -65°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Doble N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 450V | ||
Serie SuperMESH | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.5Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 30 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 10nC | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -65°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, que se consigue mediante la optimización de una disposición de Power MESH bien establecida. Además de una reducción significativa de la resistencia, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
Contorno estándar para un montaje en superficie automatizado sencillo
Carga de puerta minimizada