MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP20NK50Z, VDSS 500 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- Código RS:
- 151-441
- Referência do fabricante:
- STP20NK50Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
A imagem representada pode não ser a do produto
Desconto aplicável por quantidade
Ver preços por quantidadeSubtotal (1 tubo de 50 unidades)*
135,00 €
Entrega GRÁTIS para pedidos superiores a 95,00 €
Em stock
- 3500 unidade(s) pronta(s) para enviar a partir de outro centro de distribuição
Precisa de mais unidades? Insira a quantidade desejada e clique em "Verificar datas de entrega".
Unidad(es) | Por unidade | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 50 - 450 | 2,70 € | 135,00 € |
| 500 + | 2,565 € | 128,25 € |
*preço indicativo
- Código RS:
- 151-441
- Referência do fabricante:
- STP20NK50Z
- Fabricante:
- STMicroelectronics
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
Seleciona um o mais atributos para encontrar produtos semelhantes.
Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | STMicroelectronics | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 17A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 500V | |
| Serie | SuperMESH | |
| Encapsulado | TO-220 | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.27Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.6V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 119nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 190W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS Compliant | |
| Estándar de automoción | No | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca STMicroelectronics | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 17A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 500V | ||
Serie SuperMESH | ||
Encapsulado TO-220 | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.27Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.6V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 119nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 190W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS Compliant | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origem):
- CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, lograda mediante la optimización de un diseño Power MESH bien establecido. Además de una reducción significativa de la resistencia de encendido, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.
100% a prueba de avalanchas
Carga de puerta minimizada
Capacitancia intrínseca muy baja
Links relacionados
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 500 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 650 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP24NM60N, VDSS 650 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STP18NM80, VDSS 800 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STF24NM60N, VDSS 650 V, ID 17 A, Mejora, TO-220 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 500 V, ID 17 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STW20NK50Z, VDSS 500 V, ID 17 A, Mejora, TO-247 de 3 pines