Infineon AEC-Q1 Grado 1 Memoria flash NI, SPI 512 MB, SOIC, 16 pines

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Código RS:
273-7511
Referência do fabricante:
S25FL512SAGMFIR11
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tamaño de la memoria

512MB

Tipo de producto

Memoria flash

Tipo de interfaz

SPI

Encapsulado

SOIC

Número de pines

16

Frecuencia del reloj máxima

133MHZ

Tipo de célula

NI

Tensión de alimentación máxima

3.6V

Tensión de alimentación mínima

2.7V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Temperatura de funcionamiento máxima

125°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q1 Grado 1

Serie

S25FL-S

La memoria Flash Infineon ofrece altas densidades junto con la flexibilidad y el rendimiento rápido requeridos por una variedad de aplicaciones integradas. Es ideal para sombreado de código, XIP y almacenamiento de datos. La ejecución de código directamente desde la memoria flash a menudo se denomina ejecución en el lugar o XIP. Al utilizar dispositivos FL-S con las velocidades de reloj más altas admitidas, con comandos QIO o DDR QIO, la velocidad de transferencia de lectura de instrucciones puede igualar o superar la interfaz paralela tradicional, asíncrona, memorias flash NOR al tiempo que reduce drásticamente el recuento de señales.

SPI con varias E/S

Protección de sector avanzada

Búfer de programación de página de 512 bytes

Núcleo CMOS de 3,0 V con E/S versátil

Mínimo de 20 años de retención de datos

Mínimo de 100.000 ciclos de borrado de programas

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