Infineon AEC-Q100 Grados 2 y 3 GL-T MIRRORBITTM Flash Paralelo NI, Paralelo 1 Gb, 130 ns, TSOP-56, 48 pines
- Código RS:
- 273-5429
- Referência do fabricante:
- S29GL01GT10FHI010
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 273-5429
- Referência do fabricante:
- S29GL01GT10FHI010
- Fabricante:
- Infineon
Especificações
Documentação Técnica
Legislação e Conformidade
Detalhes do produto
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Selecionar tudo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | GL-T MIRRORBITTM Flash Paralelo | |
| Tamaño de la memoria | 1Gb | |
| Tipo de interfaz | Paralelo | |
| Encapsulado | TSOP-56 | |
| Número de pines | 48 | |
| Frecuencia del reloj máxima | 5MHZ | |
| Tipo de célula | NI | |
| Tensión de alimentación máxima | 3.6V | |
| Tensión de alimentación mínima | 2.7V | |
| Tipo de temporización | Asíncrono | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -40°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 125°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Corriente de suministro | 100mA | |
| Tiempo de acceso aleatorio máximo | 130ns | |
| Serie | S29GL | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100 Grados 2 y 3 | |
| Número de bits por palabra | 16 | |
| Selecionar tudo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto GL-T MIRRORBITTM Flash Paralelo | ||
Tamaño de la memoria 1Gb | ||
Tipo de interfaz Paralelo | ||
Encapsulado TSOP-56 | ||
Número de pines 48 | ||
Frecuencia del reloj máxima 5MHZ | ||
Tipo de célula NI | ||
Tensión de alimentación máxima 3.6V | ||
Tensión de alimentación mínima 2.7V | ||
Tipo de temporización Asíncrono | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -40°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 125°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Corriente de suministro 100mA | ||
Tiempo de acceso aleatorio máximo 130ns | ||
Serie S29GL | ||
Estándar de automoción AEC-Q100 Grados 2 y 3 | ||
Número de bits por palabra 16 | ||
La memoria Flash de Infineon está fabricada con tecnología de proceso de 45 nm. Estos dispositivos ofrecen un tiempo de acceso a páginas rápido de hasta 15 ns, con un tiempo de acceso aleatorio correspondiente de hasta 100 ns. Dispone de un búfer de escritura que permite programar un máximo de 256 palabras o 512 bytes en una sola operación, lo que resulta en un tiempo de programación efectivo más rápido que los algoritmos de programación estándar.
20 años de retención de datos
Protección de sector avanzada
Búfer de programación de 512 bytes
100.000 ciclos de programación y borrado
Lectura de página de 32 bytes asíncrona
Tabla de parámetros de interfaz flash común
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- Infineon AEC-Q100 Memoria flash NI, Paralelo, CFI 128 MB, 8M x 16 Bit, 90 ns, TSOP, 56 pines
- Infineon AEC-Q100 Memoria flash NI, Paralelo, CFI S29GL128S90TFI010 128 MB, 8M x 16 Bit, 90 ns, TSOP, 56 pines
- Alliance Memory Memoria flash NI, Paralelo AS29CF160T-55TIN 16 MB, 2M x 8, 55 ns, TSOP, 48 pines
- Alliance Memory Memoria flash NI, Paralelo AS29CF160B-55TIN 16 MB, 2M x 8, 55 ns, TSOP, 48 pines